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高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記

時(shí)間:2024-12-02 17:54:27 藹媚 筆記 我要投稿
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高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記

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高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記

  高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記 1

  電阻率

  1.意義:電阻率是反映導體材料導電性能的物理量。材料導電性能的好壞用電阻率p表示,電阻率越小,導電性能越好,電阻率越大,表明在相同長(cháng)度,相同橫截面積的情況下,導體電阻就越大。

  2.決定因素:由材料的種類(lèi)和溫度決定,與材料的長(cháng)短、粗細無(wú)關(guān)。一般常用合金的電阻率大于組成它的純金屬的電阻率。

  3.與溫度的關(guān)系:各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化。金屬的電阻率隨溫度的升高而增大(可用于制造電阻溫度計);半導體和電介質(zhì)的電阻率隨溫度的升高而減小(半導體的電阻率隨溫度的變化較大,可用于制造熱敏電阻)。

  高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記 2

  功(W)

  功是表示力作用一段位移(空間積累)效果的物理量。要深刻理解功的概念:

 、偃绻矬w在力的方向上發(fā)生了位移,就說(shuō)這個(gè)力對物體做了功。因此,凡談到做功,一定要明確指出是哪個(gè)力對哪個(gè)物體做了功。

 、谧龉Τ霰仨毦哂袃蓚(gè)必要的因素;力和物體在力的方向上發(fā)生了位移。因此,如果力在物體發(fā)生的那段位移里做了功,則物體在發(fā)生那段位移的過(guò)程里始終受到該力的作用,力消失之時(shí)即停止做功之時(shí)。

 、哿ψ龉κ且粋(gè)物理過(guò)程,做功的多少反映了在這物理過(guò)程中能量變化的多少。

 、芄捎霉絎=Fscosα計算。當0

 、莨κ菢肆,但功有正負。功的正負僅表示力在使物體移的過(guò)程中起了動(dòng)力作用還是阻力作用。

 、藓屯饬ξ矬w所做的功等于各個(gè)外力對物體做功的代數和。

  高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記 3

  1.電流強度:I=q/t{I:電流強度(A),q:在時(shí)間t內通過(guò)導體橫載面的電量(C),t:時(shí)間(s)}

  2.歐姆定律:I=U/R{I:導體電流強度(A),U:導體兩端電壓(V),R:導體阻值(Ω)}

  3.電阻、電阻定律:R=ρL/S{ρ:電阻(Ω/m),L:導體的長(cháng)度(m),S:導體橫截面積(m2)}

  4.閉合電路歐姆定律:I=E/(r+R)或E=Ir+IR也可以是E=U內+U外{I:電路中的總電流(A),E:電源電動(dòng)勢(V),R:外電路電阻(Ω),r:電源內阻(Ω)}

  5.電功與電功率:W=UIt,P=UI{W:電功(J),U:電壓(V),I:電流(A),t:時(shí)間(s),P:電功率(W)}

  6.焦耳定律:Q=I2Rt{Q:電熱(J),I:通過(guò)導體的電流(A),R:導體的電阻值(Ω),t:通電時(shí)間(s)}

  7.純電阻電路中:由于I=U/R,W=Q,因三此W=Q=UIt=I2Rt=U2t/R

  8.電源總動(dòng)率、電源輸出功率、電源效率:P總=IE,P出=IU,η=P出/P總{I:電路總電流(A),E:電源電動(dòng)勢(V),U:路端電壓(V),η:電源效率}

  9.電路的串/并聯(lián)串聯(lián)電路(P、U與R成正比)并聯(lián)電路(P、I與R成反比)

  電阻關(guān)系(串同并反)R串=R1+R2+R3+1/R并=1/R1+1/R2+1/R3+

  電流關(guān)系I總=I1=I2=I3I并=I1+I2+I3+

  電壓關(guān)系U總=U1+U2+U3+U總=U1=U2=U3

  功率分配P總=P1+P2+P3+P總=P1+P2+P3+

  10.歐姆表測電阻

  (1)電路組成

  (2)測量原理

  兩表筆短接后,調節Ro使電表指針滿(mǎn)偏,得Ig=E/(r+Rg+Ro)

  接入被測電阻Rx后通過(guò)電表的電流為Ix=E/(r+Rg+Ro+Rx)=E/(R中+Rx)

  由于Ix與Rx對應,因此可指示被測電阻大小

  (3)使用方法:機械調零、選擇量程、歐姆調零、測量讀數{注意擋位(倍率)}、撥off擋。

  (4)注意:測量電阻時(shí),要與原電路斷開(kāi),選擇量程使指針在中央附近,每次換擋要重新短接歐姆調零。

  11.伏安法測電阻

  電流表內接法:電壓表示數:U=UR+UA

  電流表外接法:電流表示數:I=IR+IV

  Rx的測量值=U/I=(UA+UR)/IR=RA+Rx>R真;

  Rx的測量值=U/I=UR/(IR+IV)=RVRx(RV+R)

  選用電路條件Rx>RA[或Rx>(RARV)1/2]

  選用電路條件Rx

  12.滑動(dòng)變阻器在電路中的限流接法與分壓接法

  限流接法:電壓調節范圍小,電路簡(jiǎn)單,功耗小

  便于調節電壓的選擇條件Rp>Rx

  電壓調節范圍大,電路復雜,功耗較大

  便于調節電壓的選擇條件Rp

  注:

  (1)單位換算:1A=103mA=106μA;1kV=103V=106mA;1MΩ=103kΩ=106Ω

  (2)各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化,金屬電阻率隨溫度升高而增大;

  (3)串聯(lián)XX電阻大于任何一個(gè)分電阻,并聯(lián)XX電阻小于任何一個(gè)分電阻;

  (4)當電源有內阻時(shí),外電路電阻增大時(shí),總電流減小,路端電壓增大;

  (5)當外電路電阻等于電源電阻時(shí),電源輸出功率,此時(shí)的輸出功率為E2/(2r);

  高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記 4

  一、焦耳定律

  1、定義:電流流過(guò)導體產(chǎn)生的熱量跟電流的平方、導體的電阻和通電時(shí)間成正比。

  2、意義:電流通過(guò)導體時(shí)所產(chǎn)生的電熱。

  3、適用條件:任何電路。

  二、電阻定律

  1、電阻定律:在一定溫度下,導體的電阻與導體本身的長(cháng)度成正比,跟導體的橫截面積成反比。

  2、意義:電阻的決定式,提供了一種測電阻率的方法。

  3、適用條件:適用于粗細均勻的金屬導體和濃度均與的電解液。

  三、歐姆定律

  1、歐姆定律:導體中電流I跟導體兩端的電壓U成正比,跟它的電阻R成反比。

  2、意義:電流的決定式,提供了一種測電阻的方法。

  3、適用條件:金屬、電解液(對氣體不適用)。適用于純電阻電路。

  四、庫倫定律

  庫侖定律(Coulombs law)是靜止點(diǎn)電荷相互作用力的規律。1785年由法國科學(xué)家C,-A.de庫侖根據實(shí)驗得出,真空中兩個(gè)靜止的點(diǎn)電荷之間的相互作用力與它們的電荷量的乘積成正比,與它們的距離的二次方成反比,作用力的方向在它們的連線(xiàn)上,同名電荷相斥,異名電荷相吸。

  五、電阻率

  1、意義:電阻率是反映導體材料導電性能的物理量。材料導電性能的好壞用電阻率p表示,電阻率越小,導電性能越好,電阻率越大,表明在相同長(cháng)度,相同橫截面積的情況下,導體電阻就越大。

  2、決定因素:由材料的種類(lèi)和溫度決定,與材料的長(cháng)短、粗細無(wú)關(guān)。一般常用合金的電阻率大于組成它的純金屬的電阻率。

  3、與溫度的關(guān)系:各種材料的電阻率都隨溫度的變化而變化。金屬的電阻率隨溫度的升高而增大(可用于制造電阻溫度計);半導體和電介質(zhì)的電阻率隨溫度的升高而減。ò雽w的電阻率隨溫度的變化較大,可用于制造熱敏電阻)。

  高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記 5

  1、晶體:外觀(guān)上有規則的幾何外形,有確定的熔點(diǎn),一些物理性質(zhì)表現為各向異性。

  非晶體:外觀(guān)沒(méi)有規則的幾何外形,無(wú)確定的熔點(diǎn),一些物理性質(zhì)表現為各向同性。

 、倥袛辔镔|(zhì)是晶體還是非晶體的主要依據是有無(wú)固定的熔點(diǎn)。

 、诰w與非晶體并不是絕對的,有些晶體在一定的條件下可以轉化為非晶體石英→玻璃。

  2、單晶體多晶體

  如果一個(gè)物體就是一個(gè)完整的晶體,如食鹽小顆粒,這樣的晶體就是單晶體單晶硅、單晶鍺。

  如果整個(gè)物體是由許多雜亂無(wú)章的小晶體排列而成,這樣的物體叫做多晶體,多晶體沒(méi)有規則的幾何外形,但同單晶體一樣,仍有確定的熔點(diǎn)。

  3、晶體的微觀(guān)結構:

  固體內部,微粒的排列非常緊密,微粒之間的引力較大,絕大多數微粒只能在各自的平衡位置附近做小范圍的無(wú)規則振動(dòng)。

  晶體內部,微粒按照一定的規律在空間周期性地排列即晶體的點(diǎn)陣結構,不同方向上微粒的排列情況不同,正由于這個(gè)原因,晶體在不同方向上會(huì )表現出不同的物理性質(zhì)即晶體的各向異性。

  4、表面張力

  當表面層的分子比液體內部稀疏時(shí),分子間距比內部大,表面層的分子表現為引力,如露珠。

  1作用:液體的表面張力使液面具有收縮的趨勢。

  2方向:表面張力跟液面相切,跟這部分液面的分界線(xiàn)垂直。

  3大。阂后w的溫度越高,表面張力越小;液體中溶有雜質(zhì)時(shí),表面張力變小;液體的密度越大,表面張力越大。

  高二下學(xué)期物理知識點(diǎn)筆記 6

  牛頓運動(dòng)定律的應用

  1、運用牛頓第二定律解題的基本思路

 。1)通過(guò)認真審題,確定研究對象。

 。2)采用隔離體法,正確受力分析。

 。3)建立坐標系,正交分解力。

 。4)根據牛頓第二定律列出方程。

 。5)統一單位,求出答案。

  2、解決連接體問(wèn)題的基本方法是:

 。1)選取的研究對象。選取研究對象時(shí)可采取“先整體,后隔離”或“分別隔離”等方法。一般當各部分加速度大小、方向相同時(shí),可當作整體研究,當各部分的加速度大小、方向不相同時(shí),要分別隔離研究。

 。2)對選取的研究對象進(jìn)行受力分析,依據牛頓第二定律列出方程式,求出答案。

  3、解決臨界問(wèn)題的基本方法是:

 。1)要詳細分析物理過(guò)程,根據條件變化或隨著(zhù)過(guò)程進(jìn)行引起的受力情況和運動(dòng)狀態(tài)變化,找到臨界狀態(tài)和臨界條件。

 。2)在某些物理過(guò)程比較復雜的情況下,用極限分析的方法可以盡快找到臨界狀態(tài)和臨界條件。

  易錯現象:

 。1)加速系統中,有些同學(xué)錯誤地認為用拉力F直接拉物體與用一重力為F的物體拉該物體所產(chǎn)生的加速度是一樣的。

 。2)在加速系統中,有些同學(xué)錯誤地認為兩物體組成的系統在豎直方向上有加速度時(shí)支持力等于重力。

 。3)在加速系統中,有些同學(xué)錯誤地認為兩物體要產(chǎn)生相對滑動(dòng)拉力必須克服它們之間的靜摩擦力。

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