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靜息電位和動(dòng)作電位的誕生氣制

回答
瑞文問(wèn)答

2024-10-20

靜息電位誕生氣制:細胞的靜息電位相當于K+平穩電位,系因K+跨膜擴散達電化學(xué)平穩所引起。動(dòng)作電位誕生氣制:在靜息狀態(tài)時(shí),細胞膜外Na+濃度大于膜內,Na+有向膜內擴散的趨勢,而且靜息時(shí)膜內存在著(zhù)相當數值的負電位,這種電場(chǎng)力也吸引Na+向膜內挪動(dòng)。

擴展資料

  靜息電位形成條件

  靜息電位指安靜時(shí)存在于細胞兩側的外正內負的電位差。其誕生有兩個(gè)重要條件,一是膜兩側離子的不平穩分布,二是靜息時(shí)膜對離子通透性的不同。

  動(dòng)作電位形成條件

 、偌毎蓚却嬖陔x子濃度差,細胞膜內鉀離子濃度高于細胞膜外,而細胞外鈉離子、鈣離子、氯離子高于細胞內,這種濃度差的堅持依賴(lài)離子泵的主動(dòng)轉運。(主要是鈉-鉀泵(每3個(gè)Na+流出細胞, 就有2個(gè)K+流入細胞內。即:Na+:K+ =3:2)的轉運)。

 、诩毎ぴ诓煌瑺顟B(tài)下對不同離子的通透性不同,例似,安靜時(shí)主要答應鉀離子通透,而去極化到閾電位水平時(shí)又主要答應鈉離子通透。

 、劭膳d奮組織或細胞受閾刺激或閾上刺激。